在芯片制造领域，Corner（工艺角）这一概念用于定量刻画因制造工艺导致的个体间性能差异。芯片制造时，如掺杂（doping）浓度、扩散（diffusion）深度、刻蚀（etch）程度，退火（anneal）这些工艺偏差，会使不同批次芯片或同一批次的不同晶圆，甚至同一晶圆上的不同die，都会在性能上产生variation。

为精准描述这些差异，业界引入了PVT（Process，Voltage，Temperature，即工艺、电压、温度）概念。其中，工艺（process）维度进一步细分为不同的Corner，也就是工艺角，典型的工艺角有TT、SS、FF、SF、FS。

这里S代表Slow，T代表Typical，F代表Fast。对我们CMOS集成电路而言，里面包含NMOS和PMOS两种，那么两个字母分别对应其中一种MOS管，如第一个T代表NMOS，那么另一个T就代表PMOS，这里TT就代表NMOS和PMOS都是typical。通常我们用的corner都是指两个MOS管在相同的速度下，对于一些敏感的模拟电路，还需要SF或者FS这种corner。典型是这五种corner测试，当然，也有更为严苛的将所有九个工艺角都测的。

正常情况下管子大部分是TT状态，而以上5种corner在±3σ可以覆盖约99.73%的范围。对于管子而言我们最关心的是阈值电压VT和漏极电流IDS，如果要使你的电路风险最低，那么就要有足够的margin，也就是说所有的PVT仿真都得通过，这里最主要的就是SS通过，SS能通过那么一般就没有问题。

Corner analysis是Monte Carlo模拟的一种替代方法，通过综合考虑单个器件参数变化的影响，来确定器件或电路级别的性能变化。然后，将最坏情况和最佳情况的性能变化确定为corner。例如，当阈值电压VT、迁移率μ和氧化物电容Cox发生变化时，我们可以绘制N型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（NMOS）和P型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（PMOS）的速度曲线。

从工艺角度而言：针对掺杂情况，SS的VT偏高，MOS管开关速度变慢，IDS偏小，但漏电也降低，FF为VTH偏低，MOS管开关速度变快，IDS偏大，但漏电也会增加。

从电压角度而言：S/T/F对应的VDD电压可以是1.1V-10%，1.1V，1.1V+10%，VDD越大，MOS管的IDS越大，MOS管的速度也就越快，同时功耗也会随之增加。

从温度角度而言：S/T/F分别对应LT（低温）/RT（常温）/HT（高温），如常见的-40℃/25℃/125℃。

SS（Slow - Slow）：指NMOS和PMOS速度均偏慢。芯片工作速度最慢，电路延迟增加，如微处理器指令执行时间变长，但因晶体管性能弱、开关动作慢，功耗相对较低。

TT（Typical - Typical）：芯片性能处于典型状态，NMOS和PMOS性能在正常模拟范围内。工作速度与功耗在设计预期区间，数字电路各性能指标符合规格，能稳定工作。

FF（Fast - Fast）：NMOS和PMOS速度较快，因制造工艺使晶体管性能好。芯片工作速度最快、电路延迟最小，利于高频电路，但开关速度快致瞬态电流大，功耗较高。

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